场效应晶体管（FET）是一种基于电场效应而工作的半导体器件，由于具有高输入阻抗，低噪声，低功耗等优点，被广泛应用于现代电子器件中，如集成电路、功放、可编程逻辑控制器等。
场效应晶体管分为MOSFET和JFET两种类型。MOSFET是目前广泛应用的一种晶体管，其主要特点是控制电压低，导通电阻小，具有CMOS结构，可大量集成制造，被广泛应用于数字电路和模拟电路中。JFET则具有低噪声，高增益等特点，被广泛应用于低噪声放大器、滤波器和振荡器等模拟电路中。
在集成电路中，场效应晶体管经过多次微缩工艺，形成了CMOS工艺、BiCMOS工艺等，实现了数字信号和模拟信号的混合集成，为电子设备的体积缩小、性能提升提供了坚实的技术基础。
场效应晶体管作为现代电子的重要元器件，将会在未来的科技领域中发挥越来越重要的作用。
