巨磁电阻效应（Giant Magnetoresistance，简称GMR）是一种材料的磁电性质，最早由阿尔伯特·费尔豪森（Albert Fert）和彼得·格鲁伯（Peter Grünberg）在1988年同时独立发现，并因此获得了2007年的诺贝尔物理学奖。巨磁电阻效应在信息存储和传输领域有着广泛的应用。
巨磁电阻效应是指当材料中存在磁性材料的多层结构时，其电阻随着外加磁场的变化而发生变化的现象。这种效应的实现是通过将具有不同磁性方向的层状材料堆叠而成的。
巨磁电阻效应的应用包括磁存储器、磁传感器和磁阻头等领域。在磁存储器中，利用巨磁电阻效应可以实现高密度的数据存储和读取，极大地提高了存储器的性能和容量。在磁传感器中，巨磁电阻效应可实现高灵敏度的磁场检测。磁阻头是一种用于磁带驱动器的读写头，巨磁电阻效应使得磁带驱动器具有更快的速度和更高的存储密度。
巨磁电阻效应的发现和应用推动了信息存储和传输技术的发展，为我们带来了更高效、更高容量的数据存储和读取方式，对于现代科技的进步起到了重要的推动作用。
